Tópicos avanzados en ingeniería eléctrica IV
Datos generales
Nombre Completo del Programa de Posgrado: |
Maestría y Doctorado en Ciencias en Ingeniería Eléctrica
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Nombre Completo del Curso: |
Tópicos avanzados en ingeniería eléctrica IV
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Tipo de curso: |
Electivo
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Créditos: |
8
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Número de Horas: |
- Teóricas: 60 Presenciales
- Prácticas: 0 No presenciales
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Profesores que impartirán el curso: |
Juan Luis del Valle Padilla
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General
Este curso cubre dispositivos en tecnologías CMOS (Transistores MOS en el sub-umbral, en fuerte inversión y Foto transductores) circuitos estáticos (par diferencial, espejos de corriente, amplificadores de transconductancia, y circuitos en modo corriente y translinéales) circuitos dinámicos (filtros, circuitos adaptativos) y fundamentos de modelos de neuronas y de sinapsis.
Específicos
Incorporar a los conocimientos de los estudiantes de diseño electrónico, métodos que le permitan diseñar sistemas analógicos-digitales de muy bajo consumo de potencia, que operen en tiempo real y se inspiren en sistemas biológicos. Tener una base científica y de ingeniería que les permita abordar temas de investigación relacionados con la ingeniería neuromorfica.
1. Introducción
2. Aplicaciones Biológicas de los Memristores
3. Tópicos por Revisar
3.1. Bases Teóricas
3.1.1.Memristors Memory, biology and computation
3.1.2.The Biological Complexity Monster
3.1.3.Hevian and anti-Hevian computing
3.1.4.What is Knowm
3.2. Resultados Experimentales y de simulación
3.2.1.Caracterización y comparación de memristores SDC con diferentes Dopajes.
3.2.2.Realización de circuitos lógicos y uso de compuertas digitales con memristores SDC
3.2.3.Metodologías para medición de memristores SDC utilizando equipo convencional
3.3. Métodos Experimentales
3.3.1.Caracterización física de memristores de Knowm (SDC) con distintos dopajes, usando la interface Diligent 2
3.3.2.Utilización de instrumentación convencional, como método de caracterización.
3.3.3.Caracterización de memristores usando como parámetro la energía utilizada para el cambio de los parámetros de resistencia, en función de la naturaleza del dopaje de los memristores (W, C, etc.) y las características de los pulsos de excitación, utilizando la interface Diligent 2
- Tareas 0%
- Exámenes (2 parciales y un final) 0%
- Proyecto Final 0%
- Total 100%
- Conocimientos:
- Habilidades:
- Actitudes y valores:
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